游客

標題:氧化鋅壓敏陶瓷的晶界勢壘高度和寬度
正文:
氧化鋅壓敏陶瓷的晶界勢壘高度和寬度ZnO晶粒間的晶油漆界區域的耗盡層寬度可以通過C—V特性或I---T特性測量加以估計,C—V特性只能得出外施電壓為零時的耗盡層寬度。但是C—V特性計算得出的勢壘高度往往高于I---T特性計算得出的Schottky勢壘高度,涂料有的甚至高達7.42Ev。Alim測量了ZnO壓敏陶瓷材料的介電相應特性,研究了這種勢壘的復雜特性,但是難以應用和理解,因此有必要進行進一步的研究弄清勢壘高度的物理意義。進而更好地理解場助熱激發電流和隧道擊穿電流在整個晶氟碳漆界區域的傳輸過程李盛濤等通過測量商用ZnO壓敏陶瓷材料的漏電流I與溫度T的關系,利用場助熱激發電流的表達式計算了勢壘高度,結合在電場作用下電子傳導過程深入分析了該勢壘高度的物理意義,認為該勢壘雖然來自于反偏Schottky勢壘,但是低于平衡狀態時的勢壘高度,地坪漆研究了高場強時的勢壘寬度及其隨溫度的變化規律,結合測量介電溫譜,研究了勢壘區域的松弛損耗過程,以便更好地理解ZnO壓敏陶瓷材料的非線性電導過程在平衡狀態下,ZnO壓敏陶瓷晶界區的背靠背雙Schottky勢壘,左右兩邊的耗盡層寬度相等,中間是晶界界面層,它帶負電荷。ZnO晶粒是n型半導體,在ZnO環氧富鋅底漆晶粒之間存在無序的晶界界面層,其中存在許多電子陷阱。它們捕捉來自ZnO晶粒的電子,形成帶負電的晶界界面層,晶界界面層中還存在著未填充的電子陷阱,在ZnO晶粒中形成帶正電荷的空間電荷區在外施電場E作用下,假設施加在晶界上的電壓為U,在正確Schottky勢壘上的外施壓降為U,防腐漆則正偏勢壘高度由原來的降低了。對于電子流而言,需要克服的勢壘高度為—U但是對于電子流來說,需要克服的勢壘高度不是+U在U較低時,漏電流為場助熱激發電流,電流從左向右流動。越過正偏壘的電子流為It,這些電子流注入晶界界面層中。
[<<][[1]][>>]

查看評論(0)
發表評論



首頁

湖南快乐十分遗漏统计